INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE UltraFast Co-Pack IGBT

Features ● UltraFast: Optimized for high operating up to 80 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode ● Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generation ● IGBT co-packaged with HEXFRED® ultrafast, ultra-s

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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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600V UltraFast 8-60 kHz Copack IGBT in a TO-220 FullPak package

600V IGBT 与8-60 kHz 超快、超软恢复反并联二极管联合封装到 TO-220 FullPak 封装中。 • 超快，经过优化的高达 80 kHz 的硬开关高工作频率\n• 谐振模式下为 200 kHz\n• IGBT 的设计提供更紧凑的参数分布和更高的效率\n• 与 HEXFREDTM 联合封装的 IGBT，在桥配置中使用\n• 行业标准 TO-220 FullPak\n• 无铅\n\n优势:\n• 第四代 IGBT 提供可实现的高效率\n• 针对特定应用条件进行过优化的 IGBT\n• HEXFREDTM 二极管经过与 IGBT 并用优化，将噪声和EMI降至最低;

Infineon

英飞凌

Package：TO-220-3 整包；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 600V 6.8A 25W TO220FP

INFINEON

英飞凌

Package：TO-220-3 整包；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 600V 6.8A 25W TO220FP

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