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IRFU13N20D	文件：181.69 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.235ohm, Id=13A) Benefits • Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses • Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications • High frequency DC-DC converters 文件：181.69 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRFU13N20D	文件：247.18 Kbytes Page：2 Pages	丝印：IPAK；Package：TO-251；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：247.18 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFU13N20D	文件：3.72818 Mbytes Page：10 Pages	SMPS MOSFET 文件：3.72818 Mbytes 页数：10 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFU13N20DPBF	文件：4.32081 Mbytes Page：10 Pages	SMPS MOSFET Benefits • Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses • Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications • High frequency DC-DC converters • Lead-Free 文件：4.32081 Mbytes 页数：10 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFU13N20DPBF	文件：688.93 Kbytes Page：11 Pages	SMPS MOSFET ( VDSS=200V , RDS(on)max=0.235廓 , ID=13A ) Benefits • Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses • Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications • High frequency DC-DC converters • Lead-Free 文件：688.93 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFU13N20DPBF	文件：689.89 Kbytes Page：11 Pages	High frequency DC-DC converters 文件：689.89 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFU13N20D	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 I-Pak 封装的 200V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 具有业内先进的品质\n• 具备完全特性化的雪崩电压和电流\n• 低栅漏电荷，可降低开关损耗\n• 具备完全特性化的的电容，包括有效的Coss以简化设计;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Package ：
IPAK (TO-251)
VDS max：
200.0V
RDS (on) max：
235.0mΩ
RDS (on)(@10V) max：
235.0mΩ
Polarity ：
N
ID (@ TC=100°C) max：
9.5A
ID max：
14.0A
ID (@ TC=25°C) max：
14.0A
Ptot max：
110.0W
QG ：
25.0nC
Mounting ：
THT
Qgd ：
12.0nC
RthJC max：
1.4K/W
VGS max：
30.0V
Tj max：
175.0°C

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