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IRFSL4410Z	文件：306.03 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：306.03 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFSL4410ZPBF	文件：839.58 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ● Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness ● Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA ● Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability ● Lead-Free Applications ● High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS ● Uninterruptible Power Supply ● High Speed Pow 文件：839.58 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFSL4410Z	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 TO-262 封装的 100V 单 N 沟道功率 MOSFET \n优势:\n• 符合 RoHS;	Infineon 英飞凌	Infineon
IXBD4410	文件：705.17 Kbytes Page：11 Pages	ISOSMART Half Bridge Driver Chipset The IXBD4410/IXBD4411 ISOSMART chipset is designed to control the gates of two Power MOSFETs or Power IGBTs that are connected in a half bridge (phase-leg) configuration for driving multiple-phase motors, or used in applications that require half-bridge power circuits. The IXBD4410/IXBD4411 is a f 文件：705.17 Kbytes 页数：11 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXBD4410P	文件：705.17 Kbytes Page：11 Pages	ISOSMART Half Bridge Driver Chipset The IXBD4410/IXBD4411 ISOSMART chipset is designed to control the gates of two Power MOSFETs or Power IGBTs that are connected in a half bridge (phase-leg) configuration for driving multiple-phase motors, or used in applications that require half-bridge power circuits. The IXBD4410/IXBD4411 is a f 文件：705.17 Kbytes 页数：11 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXBD4410PI	文件：705.17 Kbytes Page：11 Pages	ISOSMART Half Bridge Driver Chipset The IXBD4410/IXBD4411 ISOSMART chipset is designed to control the gates of two Power MOSFETs or Power IGBTs that are connected in a half bridge (phase-leg) configuration for driving multiple-phase motors, or used in applications that require half-bridge power circuits. The IXBD4410/IXBD4411 is a f 文件：705.17 Kbytes 页数：11 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

技术参数

OPN：
IRFSL4410ZPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
TO262
VDS max：
100 V
RDS (on) @10V max：
9 mΩ
ID @25°C max：
97 A
QG typ @10V：
83 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
2 V
VGS(th) max：
4 V
VGS(th)：
3 V
Technology：
IR MOSFET™

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