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IRFS550A	文件：264.83 Kbytes Page：7 Pages	Advanced Power MOSFET FEATURES ■ Avalanche Rugged Technology ■ Rugged Gate Oxide Technology ■ Lower Input Capacitance ■ Improved Gate Charge ■ Extended Safe Operating Area ■ 175°C Operating Temperature ■ Lower Leakage Current : 10 μA (Max.) @ VDS = 100V ■ Lower RDS(ON) : 0.032 Ω(Typ.) 文件：264.83 Kbytes 页数：7 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
IRFS550A	文件：271.19 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：271.19 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFS550A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Advanced Power MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
IRFW550A	文件：267.03 Kbytes Page：7 Pages	Advanced Power MOSFET FEATURES ■ Avalanche Rugged Technology ■ Rugged Gate Oxide Technology ■ Lower Input Capacitance ■ Improved Gate Charge ■ Extended Safe Operating Area ■ 175 Operating Temperature ■ Lower Leakage Current : 10 μA (Max.) @ VDS = 100V ■ Lower RDS(ON) : 0.032 Ω(Typ.) 文件：267.03 Kbytes 页数：7 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
IRFW550A	文件：361.58 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：361.58 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFWI550A	文件：266.47 Kbytes Page：7 Pages	Advanced Power MOSFET 文件：266.47 Kbytes 页数：7 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild

更多IRFS550A供应商更新时间2025-12-1 10:30:00