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IRFS4321-7P	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 7 引脚 D2-Pak 封装的 150V 单 N 沟道功率 MOSFET StrongIRFET ™功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。该设备非常适合需要性能和坚固性的低频应用。全面的产品组合涵盖广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和直流-直流转换器。 • 针对分销合作伙伴的广泛可用性进行了优化\n• 产品符合 JEDEC 标准\n• 行业标准表面贴装功率封装\n• 与 D2PAK（相同芯片尺寸）相比，额定电流更高（高出 23%）;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Ptotmax：
330 W
Qgd：
21 nC
QG(typ @10V)：
71 nC
RDS (on)(@10V) max：
15 mΩ
RthJCmax：
0.45 K/W
Tjmax：
175 °C
VDSmax：
150 V
VGS(th)：
4 V
VGSmax：
30 V
Mounting：
SMD
Package：
D2PAK (TO-263)
Operating Temperature：
-55 °C to 175 °C
Polarity：
N
Moisture Sensitivity Level：
1
Budgetary Price €/1k：
1.18

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