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IRFS4321	文件：189.31 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：189.31 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFS4321	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 D2-Pak 封装的 150V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET	Infineon 英飞凌	Infineon
IRFS4321PBF	文件：357.82 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits • Low RDSON Reduces Losses • Low Gate Charge Improves the Switching Performance • Improved Diode Recovery Improves Switching & EMI Performance • 30V Gate Voltage Rating Improves Robustness • Fully Characterized Avalanche SOA Applications • Motion Control Applications • High Ef 文件：357.82 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRFS4321-7PPBF	文件：410.21 Kbytes Page：10 Pages	Motion Control Applications 文件：410.21 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRFS4321-7PPBF	文件：410.21 Kbytes Page：10 Pages	Motion Control Applications 文件：410.21 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRFS4321-7PPBF_15	文件：410.21 Kbytes Page：10 Pages	Motion Control Applications 文件：410.21 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRFS4321PBF	文件：359.4 Kbytes Page：10 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS 文件：359.4 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRFS4321PBF_15	文件：359.4 Kbytes Page：10 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS 文件：359.4 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRFS4321TRL7PP	文件：410.21 Kbytes Page：10 Pages	Motion Control Applications 文件：410.21 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRFS4321TRLPBF	文件：359.4 Kbytes Page：10 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS 文件：359.4 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF

技术参数

Ptotmax：
330 W
Qgd：
21 nC
QG(typ @10V)：
71 nC
RDS (on)(@10V) max：
15 mΩ
RthJCmax：
0.45 K/W
Tjmax：
175 °C
VDSmax：
150 V
VGS(th)：
4 V
VGSmax：
30 V
Mounting：
SMD
Package：
D2PAK (TO-263)
Operating Temperature：
-55 °C to 175 °C
Polarity：
N
Moisture Sensitivity Level：
1
Budgetary Price €/1k：
1.18

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更多IRFS4321供应商更新时间2025-12-21 8:10:00

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