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IRFS33N15D	文件：139.97 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.056ohm, Id=33A) SMPS MOSFET Benefits ● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC converters 文件：139.97 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFS33N15D	文件：150.48 Kbytes Page：12 Pages	High frequency DC-DC converters 文件：150.48 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRFS33N15D	文件：188.68 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：188.68 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFS33N15DPB	文件：285.43 Kbytes Page：12 Pages	High frequency DC-DC converters 文件：285.43 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRFS33N15DPBF	文件：284.48 Kbytes Page：12 Pages	SMPS MOSFET HEXFET Power MOSFET 文件：284.48 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRFS33N15DPBF	文件：285.44 Kbytes Page：12 Pages	High frequency DC-DC converters 文件：285.44 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRFS33N15DPBF_15	文件：285.44 Kbytes Page：12 Pages	High frequency DC-DC converters 文件：285.44 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRFS33N15DTRLP	文件：150.48 Kbytes Page：12 Pages	High frequency DC-DC converters 文件：150.48 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRFS33N15D	文件：300 bytes Page：1 Pages	150V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装 \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 具有业内先进的品质\n• 具备完全特性化的雪崩电压和电流\n• 低栅漏电荷，可降低开关损耗\n• 具备完全特性化的的电容，包括有效的Coss以简化设计;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Package ：
D2PAK (TO-263)
VDS max：
150.0V
RDS (on)(@10V) max：
56.0mΩ
RDS (on) max：
56.0mΩ
Polarity ：
N
ID max：
24.0A
ID (@ TC=100°C) max：
24.0A
ID (@ TC=25°C) max：
33.0A
Ptot max：
3.8W
QG ：
60.0nC
Mounting ：
SMD
RthJC max：
0.9K/W
VGS max：
30.0V
Moisture Sensitivity Level ：
1
Qgd ：
27.0nC
Tj max：
175.0°C

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更多IRFS33N15D供应商更新时间2025-10-4 16:36:00

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