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IRFS33N15DPBF	文件：284.48 Kbytes Page：12 Pages	SMPS MOSFET HEXFET Power MOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFS33N15DPBF	文件：285.44 Kbytes Page：12 Pages	High frequency DC-DC converters	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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IIRFB33N15D	文件：339.09 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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IRFB33N15D	文件：139.97 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=150V,Rds(on)max=0.056ohm,Id=33A) SMPSMOSFET Benefits ●LowGate-to-DrainChargetoReduce SwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncluding EffectiveCOSStoSimplifyDesign,(See App.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltage andCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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IRFS33N15D	文件：139.97 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=150V,Rds(on)max=0.056ohm,Id=33A) SMPSMOSFET Benefits ●LowGate-to-DrainChargetoReduce SwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncluding EffectiveCOSStoSimplifyDesign,(See App.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltage andCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFS33N15D	文件：150.48 Kbytes Page：12 Pages	HighfrequencyDC-DCconverters	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFS33N15D	文件：188.68 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS33N15DTRLP	文件：150.48 Kbytes Page：12 Pages	HighfrequencyDC-DCconverters	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFSL33N15D	文件：139.97 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=150V,Rds(on)max=0.056ohm,Id=33A) SMPSMOSFET Benefits ●LowGate-to-DrainChargetoReduce SwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncluding EffectiveCOSStoSimplifyDesign,(See App.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltage andCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFSL33N15D	文件：299.96 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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详细参数

型号：
IRFS33N15DPB
功能描述：
MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 56mOhms 60nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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