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IRFS3306	文件：263.37 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：263.37 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFS3306	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装 \n优势:\n• Optimized for broadest availability from distribution partners\n• Product qualification according to JEDEC standard\n• Optimized for 10V gate-drive voltage (called Normal level)\n• Industry standard surface-mount power package\n• High-current carrying capability package (upto 195A, die-size;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRFS3306PBF	文件：433.13 Kbytes Page：11 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS Benefits ● Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness ● Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA ● Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability ● Lead-Free ● RoHS Compliant, Halogen-Free Applications ● High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS ● Uninterruptibl 文件：433.13 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFS3306PBF	文件：446.45 Kbytes Page：11 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS Benefits ● Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness ● Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA ● Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability ● Lead-Free ● RoHS Compliant, Halogen-Free Applications ● High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS ● Uninterruptibl 文件：446.45 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFS3306TRLPBF	文件：446.45 Kbytes Page：11 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS Benefits ● Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness ● Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA ● Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability ● Lead-Free ● RoHS Compliant, Halogen-Free Applications ● High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS ● Uninterruptibl 文件：446.45 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFS3306PBF	文件：332.94 Kbytes Page：12 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS 文件：332.94 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRFS3306PBF_15	文件：332.94 Kbytes Page：12 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS 文件：332.94 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF

技术参数

OPN：
IRFS3306TRLPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
D2PAK
VDS max：
60 V
RDS (on) @10V max：
4.2 mΩ
ID @25°C max：
160 A
QG typ @10V：
85 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
2 V
VGS(th) max：
4 V
VGS(th)：
3 V
Technology：
IR MOSFET™

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