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OD9220	文件：110.05 Kbytes Page：1 Pages	12,24VDCFan92x20mm(3.6?쓝0.79??	ORIONFANSORION FANS 好利旺	ORIONFANS
OD9220	文件：5.21441 Mbytes Page：8 Pages	AC&ECFANS	ORIONFANSORION FANS 好利旺	ORIONFANS
PE9220	文件：242.5 Kbytes Page：3 Pages	Precision7mmSexlesstoBNCFemaleAdapter	PASTERNACKPasternack Enterprises, Inc. 帕斯特纳克	PASTERNACK
PL9220	文件：380.34 Kbytes Page：2 Pages	SMTPOWERINDUCTORS	pulse Pulse Electronics	pulse
PST9220	文件：66.32 Kbytes Page：6 Pages	ICforSystemResetMonolithicIC Outline ThisICisaresetICwithadelaycircuitwhichrealizeshigh-precisiondetectionaccuracyandisprovidedinanultra-smallpackage. Features 1.InternaldelaycircuitDelaytimecanbesetwithanexternalcapacitor. 2.High-precisiondetectionaccuracyVs±1.	MITSUMIMITSUMI ELECTRIC CO.,LTD. 美上美三美电机株式会社	MITSUMI
PST9220	文件：135.4 Kbytes Page：6 Pages	SystemReset Outline ThisICisaresetICwithadelaycircuitwhichrealizeshigh-precisiondetectionaccuracyandisprovidedinanultra-smallpackage. Features 1.InternaldelaycircuitDelaytimecanbesetwithanexternalcapacitor. 2.High-precisiondetectionaccuracyVs±1.	MITSUMIMITSUMI ELECTRIC CO.,LTD. 美上美三美电机株式会社	MITSUMI
R9220	文件：142.28 Kbytes Page：4 Pages	PHOTOMULTIPLIERTUBEHighQEMultialkaliPhotocathodeNewElectro-OpticalDesign	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
SFR/U9220	文件：259.14 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=-200V ■LowerRDS(ON):1.111Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SFR9220	文件：259.14 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=-200V ■LowerRDS(ON):1.111Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SFR9220TF	文件：259.88 Kbytes Page：7 Pages	AvalancheRuggedTechnology	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SFRU9220	文件：259.88 Kbytes Page：7 Pages	AvalancheRuggedTechnology	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SFRU9220	文件：259.14 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=-200V ■LowerRDS(ON):1.111Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SFRU9220	文件：257.459 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SIHFD9220	文件：1.56402 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. The4pinDIPpackageisalowcostmachine-insertablecasestylewhichcanbestackedinmultiplecombinat	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHFR9220	文件：2.04248 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdPowerMOSFETstechnologyisthekeytoVishayadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingofthePowerMOSFETsdesignachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. TheDPAKis	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHFR9220	文件：4.43521 Mbytes Page：7 Pages	DynamicdV/dtRating DESCRIPTION ThirdPowerMOSFETstechnologyisthekeytoVishayadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingofthePowerMOSFETsdesignachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. TheDPAKis	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
SIHFR9220	文件：4.5583 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdPowerMOSFETstechnologyisthekeytoVishayadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingofthePowerMOSFETsdesignachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. TheDPAKis	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
SIHFR9220	文件：4.55832 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdPowerMOSFETstechnologyisthekeytoVishayadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingofthePowerMOSFETsdesignachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. TheDPAKis	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
SIHFR9220	文件：785.7 Kbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Surface-mount(IRFR9220,SiHFR9220) •Straightlead(IRFUFU9220,SiHFU9220) •Availableintapeandreel •P-channel •Fastswitching •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHFR9220T	文件：4.43521 Mbytes Page：7 Pages	DynamicdV/dtRating DESCRIPTION ThirdPowerMOSFETstechnologyisthekeytoVishayadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingofthePowerMOSFETsdesignachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. TheDPAKis	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

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详细参数

型号：
IRFR9220PBF
功能描述：
MOSFET P-Chan 200V 3.6 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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