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IRFR4105ZPBF_15	文件：335.84 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：335.84 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFR4105ZTRPBF	文件：988.65 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET 文件：988.65 Kbytes 页数：6 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
IRFR4105Z	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 D-Pak 封装的 55V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 具有业内先进的品质\n• 快速开关\n• 175°C 的工作温度;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
IRFR4105ZTRPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
DPAK
VDS max：
55 V
RDS (on) @10V max：
24.5 mΩ
ID @25°C max：
30 A
QG typ @10V：
18 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
2 V
VGS(th) max：
4 V
VGS(th)：
3 V
Technology：
IR MOSFET™

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