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AN2905FHQ	文件：131.4 Kbytes Page：9 Pages	Soundinput/outputinterfaceICfordigitalstillcamera	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
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AUIRF2905ZSTRR	文件：290.97 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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AUIRFR2905Z	文件：4.07166 Mbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
AUIRFR2905Z	文件：290.97 Kbytes Page：13 Pages	UltraLowOn-Resistance	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
AUIRFR2905ZTR	文件：290.97 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
AUIRFR2905ZTRL	文件：673.89 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEGRADE	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
AUIRLR2905	文件：484.08 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEGRADE	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

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详细参数

型号：
IRFR2905ZTRL
功能描述：
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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