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EMH2407R	文件：321.23 Kbytes Page：4 Pages	General-PurposeSwitchingDeviceApplications General-PurposeSwitchingDeviceApplications Features •ON-resistanceRDS(on)1:16mΩ(typ.) •BestsuitedforLiBcharginganddischargingswitch •Common-draintype •2.5Vdrive •Halogenfreecompliance	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
EMH2407-TL-H	文件：556.31 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET Features •LowON-resistance •BestsuitedforLiBcharginganddischargingswitch •Common-draintype •2.5Vdrive •Protectiondiodein	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FDSS2407	文件：680.39 Kbytes Page：13 Pages	N-ChannelDualMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
H2407XES	文件：283.96 Kbytes Page：3 Pages	Isolated2WSingleOutputDC/DCConverters	MICRODCMicrodc power Technology Co., Ltd 泰辰（深圳）电气泰辰（深圳）电气有限公司	MICRODC
IIRFR2407	文件：334.91 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Fastswitching •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤26mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IK2407SA	文件：228.09 Kbytes Page：1 Pages	0.25WattIKSeries	XPPOWER XP Power Limited	XPPOWER
IRFR/U2407	文件：3.71638 Mbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR2407	文件：3.72412 Mbytes Page：10 Pages	SurfaceMount(IRFR2407)	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR2407	文件：3.72412 Mbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET Description TheD-Pakisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thestraightleadversion(IRFUseries)isforthroughholemountingapplications.Powerdissipationlevelsupto1.5wattsarepossibleintypicalsurfacemountapplications. •Surfa	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR2407	文件：3.72412 Mbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	LUCKY-LIGHT Lucky Light Electronic	LUCKY-LIGHT
IRFR2407	文件：140.18 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFR2407	文件：334.91 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Fastswitching •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤26mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFR2407	文件：129.34 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=75V,Rds(on)=0.026ohm,Id=42A?? Description SeventhGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellkn	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFR2407PBF	文件：4.02405 Mbytes Page：10 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY Description SeventhGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellkn	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR2407PBF	文件：385.68 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description SeventhGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellkn	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFR2407PBF	文件：4.00895 Mbytes Page：10 Pages	SurfaceMount Description SeventhGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellkn	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR2407PBF	文件：386.64 Kbytes Page：11 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNLOLGY	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFR2407TRL	文件：3.71638 Mbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR2407TRR	文件：3.72412 Mbytes Page：10 Pages	SurfaceMount(IRFR2407)	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU2407	文件：129.34 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=75V,Rds(on)=0.026ohm,Id=42A?? Description SeventhGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellkn	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

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详细参数

型号：
IRFR2407TRPBF
功能描述：
MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 26mOhms 74nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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