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IRFU220	文件：816.14 Kbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Surface-mount(IRFR220,SiHFR220) •Straightlead(IRFU220,SiHFU220) •Availableintapeandreel •Fastswitching •Easeofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?9	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFU220A	文件：258.54 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:10A(Max.)@VDS=200V ■LowRDS(ON):0.626Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFU220A	文件：345.53 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFU220B	文件：665.75 Kbytes Page：9 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandh	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFU220B	文件：319.78 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFU220B	文件：596.55 Kbytes Page：10 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-Channelenhancementmodepowerfieldeffect transistorsareproducedusingONSemiconductor’s proprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredto minimizeon-stateresistance,providesuperiorswitching performance,andw	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
IRFU220N	文件：132.73 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)max=600mohm,Id=5.0A) Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters Benefits ●LowGatetoDrainChargetoReduceSwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent TypicalSMPSTopologies ●T	IRF International Rectifier	IRF
IRFU220N	文件：3.73907 Mbytes Page：10 Pages	SMPSMOSFET Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters Benefits ●LowGatetoDrainChargetoReduceSwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU220N	文件：319.43 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTO-251(IPAK)packaging •Uninterruptiblepowersupply •Highspeedswitching •Hardswitchedandhighfrequencycircuits •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplications •	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFU220NPBF	文件：220.96 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Applications •HighfrequencyDC-DCconverters •Lead-Free Benefits •LowGatetoDrainChargetoReduceSwitchingLosses •FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent	IRF International Rectifier	IRF

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详细参数

型号：
IRFR220BTM
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
- Bulk

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