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IRFPG50PBF

MOS(场效应管)

Vishay

威世

技术参数

  • 漏源电压(Vdss):

    1000V

  • 栅源极阈值电压(最大值):

    4V @ 250uA

  • 漏源导通电阻(最大值):

    2 Ω @ 3.6A,10V

  • 类型:

    N 沟道

  • 功率耗散(最大值):

    190W

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更多IRFPG50供应商 更新时间2026-4-18 14:14:00