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IRFPG50	文件：1.0239 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-247AC package is preferred for commercial-industrial applications where higher power levels preclude 文件：1.0239 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFPG50	文件：211.36 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=1000V, Rds(on)=2.0ohm, Id=6.1A) Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. • Dynamic dV/dt Rating • Repetitive Avalanche Rated • Isolated Central Mounting Hole • Fast S 文件：211.36 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFPG50	文件：1.09689 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：1.09689 Mbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFPG50	文件：397.26 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET 文件：397.26 Kbytes 页数：11 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFPG50PBF	文件：1.0239 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-247AC package is preferred for commercial-industrial applications where higher power levels preclude 文件：1.0239 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFPG50PBF	文件：242.52 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. • Dynamic dV/dt Rating • Repetitive Avalanche Rated • Isolated Central Mounting Hole • Fast S 文件：242.52 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFPG50_17	文件：1.09689 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：1.09689 Mbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFPG50_V01	文件：397.26 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET 文件：397.26 Kbytes 页数：11 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFPG50PBF	文件：397.26 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET 文件：397.26 Kbytes 页数：11 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFPG50	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET(Vdss=1000V, Rds(on)=2.0ohm, Id=6.1A)	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

漏源电压（Vdss）：
1000V
栅源极阈值电压（最大值）：
4V @ 250uA
漏源导通电阻（最大值）：
2 Ω @ 3.6A，10V
类型：
N 沟道
功率耗散（最大值）：
190W

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更多IRFPG50供应商更新时间2025-10-5 9:04:00

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