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IRFP4410Z	文件：336.27 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：336.27 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFP4410ZPBF	文件：283.18 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：283.18 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFP4410ZPBF	文件：288.71 Kbytes Page：8 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS 文件：288.71 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFP4410ZPBF_15	文件：288.71 Kbytes Page：8 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS 文件：288.71 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFP4410Z	文件：300 bytes Page：1 Pages	100V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-247AC 封装 \n优势:\n• 符合 RoHS;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Package ：
TO-247
VDS max：
100.0V
RDS (on)(@10V) max：
9.0mΩ
RDS (on) max：
9.0mΩ
Polarity ：
N
ID (@ TC=100°C) max：
69.0A
ID max：
69.0A
ID (@ TC=25°C) max：
97.0A
Ptot max：
230.0W
QG ：
83.0nC
Mounting ：
THT
Qgd ：
27.0nC
Tj max：
175.0°C
VGS max：
20.0V
RthJC max：
0.65K/W

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