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IRFP23N50L	文件：159.51 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES • Superfast Body Diode Eliminates the Need for External Diodes in ZVS Applications • Lower Gate Charge Results in Simpler Drive Requirements • Enhanced dV/dt Capabilities Offer Improved Ruggedness • Higher Gate Voltage Threshold Offers Improved Noise Immunity • Lead (Pb)-free Availab 文件：159.51 Kbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFP23N50L	文件：236.46 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES • Superfast body diode eliminates the need for external diodes in ZVS applications • Lower gate charge results in simpler drive requirements • Enhanced dV/dt capabilities offer improved ruggedness • Higher gate voltage threshold offers improved noise immunity • Material categoriza 文件：236.46 Kbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFP23N50L	文件：104.21 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.190ohm, Id=23A) Features and Benefits • SuperFast body diode eliminates the need for external diodes in ZVS applications • Lower Gate charge results in simpler drive requirements • Enhanced dV/dt capabilities offer improved ruggedness • Higher Gate voltage threshold offers improved noise immunity Application 文件：104.21 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFP23N50L	文件：444.61 Kbytes Page：2 Pages	iscN-Channel MOSFET Transistor • DESCRITION • Switching Voltage Regulators • FEATURES • Low drain-source on-resistance: RDS(ON) =0.235Ω (MAX) • Enhancement mode: Vth = 3.0 to 5.0V (VDS = 10 V, ID=0.25mA) • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation 文件：444.61 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFP23N50L	文件：200.94 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：200.94 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFP23N50L	文件：223.5 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET 文件：223.5 Kbytes 页数：11 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFP23N50L_V02	文件：236.46 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES • Superfast body diode eliminates the need for external diodes in ZVS applications • Lower gate charge results in simpler drive requirements • Enhanced dV/dt capabilities offer improved ruggedness • Higher gate voltage threshold offers improved noise immunity • Material categoriza 文件：236.46 Kbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFP23N50LPBF	文件：159.51 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES • Superfast Body Diode Eliminates the Need for External Diodes in ZVS Applications • Lower Gate Charge Results in Simpler Drive Requirements • Enhanced dV/dt Capabilities Offer Improved Ruggedness • Higher Gate Voltage Threshold Offers Improved Noise Immunity • Lead (Pb)-free Availab 文件：159.51 Kbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFP23N50LPBF	文件：202.13 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 500V , RDS(on)typ. = 0.190廓 , Trr typ. = 170ns , ID = 23A ) Features and Benefits • SuperFast body diode eliminates the need for external diodes in ZVS applications • Lower Gate charge results in simpler drive requirements • Enhanced dV/dt capabilities offer improved ruggedness • Higher Gate voltage threshold offers improved noise immunity • Lead-Free 文件：202.13 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRFP23N50L_17	文件：200.94 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：200.94 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY

技术参数

Package：
TO-247AC
Ch：
N
VDS (V)：
500
VGS (V)：
30
RDS(on)@10V (Ω)：
0.235
Qg @10V (nC)：
150
Qgs (nC)：
44
Qgd (nC)：
72
ID Max. (A)：
23
PD Max. (W)：
370
VGS(th) Min. (V)：
3
Rg Typ. (Ω)：
1.2

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