| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
Package：TO-247-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT） 类别：分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 描述：MOSFET N-CH 650V 22A TO247-3 | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY |
技术参数
- 漏源电压（Vdss）：
600V
- 栅源极阈值电压（最大值）：
5V @ 250uA
- 漏源导通电阻（最大值）：
280 mΩ @ 13A，10V
- 类型：
N 沟道
- 功率耗散（最大值）：
370W
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
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TO-247AC |
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更新时间2026-4-17 14:13:00
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