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IRFP17N50LPBF

SMPS MOSFET HEXFET짰Power MOSFET

文件:188.08 Kbytes 页数:8 Pages

IRF

IRFP17N50L

Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.28ohm, Id=16A)

Infineon

英飞凌

IRFP17N50LPBF

MOS(场效应管)

Vishay

威世

IRFP17N50LS

Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.28ohm, Id=16A)

Infineon

英飞凌

技术参数

  • 漏源电压(Vdss):

    500V

  • 栅源极阈值电压(最大值):

    5V @ 250uA

  • 漏源导通电阻(最大值):

    320 mΩ @ 9.9A,10V

  • 类型:

    N 沟道

  • 功率耗散(最大值):

    220W(Tc)

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多IRFP17N50L供应商 更新时间2026-1-30 11:48:00