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IRFP17N50L	文件：845.59 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES • SuperFast Body Diode Eliminates the Need For External Diodes in ZVS Applications • Low Gate Charge Results in Simple Drive Requirement • Enhanced dV/dt Capabilities Offer Improved Ruggedness • Higher Gate Voltage Threshold Offers Improved Noise Immunity • Compliant 文件：845.59 Kbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFP17N50L	文件：234.69 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES • SuperFast body diode eliminates the need for external diodes in ZVS applications • Low gate charge results in simple drive requirement • Enhanced dV/dt capabilities offer improved ruggedness • Higher gate voltage threshold offers improved noise immunity • Material categorization 文件：234.69 Kbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFP17N50L	文件：91.77 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.28ohm, Id=16A) SMPS MOSFET Benefits ● Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement ● Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness ● Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current ● Low Trr and Soft Diode Recovery ● High Performance Optimised Anti-parallel Diode Ap 文件：91.77 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFP17N50L	文件：212.31 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET 文件：212.31 Kbytes 页数：11 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFP17N50L	文件：444.83 Kbytes Page：2 Pages	iscN-Channel MOSFET Transistor 文件：444.83 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFP17N50L_V02	文件：234.69 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES • SuperFast body diode eliminates the need for external diodes in ZVS applications • Low gate charge results in simple drive requirement • Enhanced dV/dt capabilities offer improved ruggedness • Higher gate voltage threshold offers improved noise immunity • Material categorization 文件：234.69 Kbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFP17N50LPBF	文件：845.59 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES • SuperFast Body Diode Eliminates the Need For External Diodes in ZVS Applications • Low Gate Charge Results in Simple Drive Requirement • Enhanced dV/dt Capabilities Offer Improved Ruggedness • Higher Gate Voltage Threshold Offers Improved Noise Immunity • Compliant 文件：845.59 Kbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFP17N50LS	文件：118.43 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.28ohm, Id=16A) SMPS MOSFET Benefits ● Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement ● Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness ● Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current ● Low Trr and Soft Diode Recovery ● High Performance Optimised Anti-parallel Diode Ap 文件：118.43 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFP17N50L_V01	文件：212.31 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET 文件：212.31 Kbytes 页数：11 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFP17N50LPBF	文件：212.31 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET 文件：212.31 Kbytes 页数：11 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY

技术参数

漏源电压（Vdss）：
500V
栅源极阈值电压（最大值）：
5V @ 250uA
漏源导通电阻（最大值）：
320 mΩ @ 9.9A，10V
类型：
N 沟道
功率耗散（最大值）：
220W（Tc）

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