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IRFR024NPBF	文件：401.32 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRFR024NPBF	文件：4.03053 Mbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR024NPBF	文件：406.05 Kbytes Page：11 Pages	ULTRALOWONRESISTANCE	IRF International Rectifier	IRF
IRFR024NPBF	文件：4.00212 Mbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR024NPBF	文件：406.05 Kbytes Page：11 Pages	UltraLowOn-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
IRFR024NTR	文件：537.48 Kbytes Page：7 Pages	TheD-PAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechnigues. Features VDS(V)=55V ID=17A(VGS=10V) RDS(ON)=75mW(VGS=10V)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
IRFR024NTR	文件：466.35 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET Description TheD-PAKisdesignedforsurfacemounting usingvaporphase,infrared,orwavesoldering technigues.Powerdissipationlevelsupto1.5 wattsarepossibleintypicalsurfacemountapplications. Features VDS(V)=55V ID=17A(VGS=10V) RDS(ON)=75mW(VGS=10V)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
IRFR024NTRL	文件：4.00212 Mbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR024NTRLPBF	文件：406.05 Kbytes Page：11 Pages	UltraLowOn-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
IRFR024NTRPBF	文件：1.04371 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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详细参数

型号：
IRFL024NTR
功能描述：
MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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