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IRFIBE30GPBF	文件：756.1 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：756.1 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
IRFIBE30	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.1A)	Infineon 英飞凌	Infineon
IRFIBE30G	文件：300 bytes Page：1 Pages	HEXFET power MOSFET. VDSS = 800V, RDS(on) = 3.0 Ohm, ID = 2.1A	Infineon 英飞凌	Infineon
IRFIBE30GPBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOS(场效应管)	Vishay 威世	Vishay

技术参数

漏源电压（Vdss）：
800V
栅源极阈值电压（最大值）：
4V @ 250uA
漏源导通电阻（最大值）：
3 Ω @ 1.3A，10V
类型：
N 沟道
功率耗散（最大值）：
35W（Tc）

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