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IRFI4020H-117P中文资料200V 双个 N 通道数字化音频 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-220 Full-Pak(Iso)封装数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IRFI4020H-117P

功能描述

200V 双个 N 通道数字化音频 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-220 Full-Pak(Iso)封装

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-26 14:21:00

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IRFI4020H-117P规格书详情

特性 Features


优势:
• 符合 RoHS
• 低 RDS(on)
• 双 N 通道 MOSFET
• 集成半桥封装
• 针对 D 类音频放大器应用进行了优化
• 低Qrr,可提高THD效率并改善效率
• 低Qg和Qsw,可提高THD效率并改善效率
 

应用 Application

• D 类音频

技术参数

  • 制造商编号

    :IRFI4020H-117P

  • 生产厂家

    :Infineon

  • OPN

    :IRFI4020H-117P

  • Qualification

    :Non-Automotive

  • Package name

    :FULLPAK220

  • VDS max

    :200 V

  • RDS (on) @10V max

    :100 mΩ

  • ID @25°C max

    :9.1 A

  • QG typ @10V

    :19 nC

  • Polarity

    :N+N/N+N

  • VGS(th) min

    :3 V

  • VGS(th) max

    :4.9 V

  • VGS(th)

    :3.95 V

  • Technology

    :IR MOSFET™

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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