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  • Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.012ohm, Id=49A)

  • IRFInternational Rectifier

    英飞凌英飞凌科技公司

  • IRF
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  • Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.012ohm, Id=49A)

  • IRFInternational Rectifier

    英飞凌英飞凌科技公司

  • IRF
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    Page:98Pages

  • Highly Predictable Performance with 100% Automatic Placement and Routing

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  • 5V and 3.3V Families fully compatible with JEDEC specifications

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更多供应商 更新时间:2017-2-20 17:22:00

IRFI1010N技术资料

IRFI1010N制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N FULLPAK

IRFI1010NPBF功能描述:MOSFET MOSFT 55V 44A 12mOhm 86.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRFI1010N资料

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