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IRFH3707PBF-1

30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用PQFN 3 x 3 封装

\n优势:\n• Optimized for broadest availability from distribution partners\n• Product qualification according to JEDEC standard\n• Optimized for 5V gate-drive voltage (called Logic level)\n• Industry standard surface-mount power package\n• Potential alternative to high-RDS(ON) SuperSO8 package\n• Capab;

Infineon

英飞凌

技术参数

  • OPN:

    IRFH3707TRPBF

  • Qualification:

    Non-Automotive

  • Package name:

    PQFN 3X3 8L

  • VDS max:

    30 V

  • RDS (on) @10V max:

    12.4 mΩ

  • RDS (on) @4.5V max:

    17.9 mΩ

  • ID @25°C max:

    29 A

  • QG typ @4.5V:

    5.4 nC

  • Polarity:

    N

  • VGS(th) min:

    1.35 V

  • VGS(th) max:

    2.35 V

  • VGS(th):

    1.8 V

  • Technology:

    StrongIRFET™

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INFINEON/英飞凌
25+
PQFN3.3x3.3
20300
INFINEON/英飞凌原装特价IRFH3707即刻询购立享优惠#长期有货
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INFINE0N
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PQFN 3 x 3
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DFN33D-8-EP
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标准封装
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标准封装
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PQFN 3X3 8L
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QFN
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Infineon(英飞凌)
2021/2022+
PQFN 3 x 3
7000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
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IR
23+
QFN
7000
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