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Power MOSFET 文件：511.66 Kbytes 页数：11 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | Vishay | ||
IRFBE30 | Power MOSFET • Dynamic dV/dt rating\n• Repetitive avalanche rated\n• Fast switching; | Vishay 威世科技 | Vishay | |
IRFBE30 | HEXFET® Power MOSFET Description\nThird Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.O Dynamic dv/dt Rating\nO Repetitive Avalanche Rated\nO Fast Switching\nO Ease of Paralleling\nO Sim | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
Power MOSFET Dynamic dV/dt rating\nRepetitive avalanche rated\nFast switching; | Vishay 威世科技 | Vishay |
详细参数
- 型号：
IRFBE30
- 功能描述：
MOSFET 800V Single N-Channel HEXFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2021+ |
TO220 |
16800 |
全新原装正品,自家优势现货 |
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IR |
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TO 220 |
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IR |
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TO-220 |
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TO-220 |
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询价 | |||
IR |
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全新原装,现货库存长期供应 |
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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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