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IRFBE30STRLPBFA	文件：517.21 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET FEATURES • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • Fast switching • Ease of paralleling • Simple drive requirements • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 Note * This datasheet provides information about parts that are R 文件：517.21 Kbytes 页数：11 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFBE30_17	文件：1.60026 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：1.60026 Mbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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详细参数

型号：
IRFBE30
功能描述：
MOSFET 800V Single N-Channel HEXFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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