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IRFBA90N20D	文件：98.6 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.023ohm, Id=98A?? Applications • High frequency DC-DC converters Benefits • Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses • Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current 文件：98.6 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFBA90N20DPBF	文件：133.33 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET짰Power MOSFET Applications • High frequency DC-DC converters • Lead-Free Benefits • Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses • Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current 文件：133.33 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRFBA90N20DPBF	文件：138.76 Kbytes Page：9 Pages	High frequency DC-DC converters 文件：138.76 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRFBA90N20DPBF_15	文件：138.76 Kbytes Page：9 Pages	High frequency DC-DC converters 文件：138.76 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRFBA90N20D	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 Super 220（TO-273AA）封装的 200V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 具有业内先进的品质\n• 经过充分验证的雪崩电压和电流\n• 低栅漏电荷，可降低开关损耗\n• 经过充分验证的的电容，包括有效的Coss以简化设计;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Package ：
Super-220 (TO-273)
VDS max：
200.0V
RDS (on)(@10V) max：
23.0mΩ
RDS (on) max：
23.0mΩ
Polarity ：
N
ID (@ TC=100°C) max：
71.0A
ID max：
71.0A
ID (@ TC=25°C) max：
98.0A
Ptot max：
650.0W
QG ：
160.0nC
Mounting ：
THT
RthJC max：
0.23K/W
Qgd ：
75.0nC
Tj max：
175.0°C
VGS max：
30.0V

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