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IRFBA90N20DPBF	文件：133.33 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET짰Power MOSFET Applications •HighfrequencyDC-DCconverters •Lead-Free Benefits •LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses •FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFBA90N20DPBF	文件：138.76 Kbytes Page：9 Pages	High frequency DC-DC converters	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFBA90N20DPBF_15	文件：138.76 Kbytes Page：9 Pages	High frequency DC-DC converters	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
90N20	文件：112.37 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,Highdv/dt,Lowtrr Features ●Internationalstandardpackages ●JEDECTO-264AA,epoxymeetUL94V-0,flammabilityclassification ●miniBLOCwithAluminiumnitrideisolation ●LowRDS(on)HDMOSTMprocess ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●U	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IIRFP90N20D	文件：335.35 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IRFBA90N20	文件：98.6 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)max=0.023ohm,Id=98A?? Applications •HighfrequencyDC-DCconverters Benefits •LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses •FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFBA90N20D	文件：98.6 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)max=0.023ohm,Id=98A?? Applications •HighfrequencyDC-DCconverters Benefits •LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses •FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFP90N20D	文件：89.16 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)max=0.023ohm,Id=94A?? Applications •HighfrequencyDC-DCconverters Benefits •LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses •FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFP90N20D	文件：335.35 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IRFP90N20DPBF	文件：178.4 Kbytes Page：9 Pages	HighfrequencyDC-DCconverters	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFP90N20DPBF	文件：169.44 Kbytes Page：8 Pages	SMPSMOSFET Applications •HighfrequencyDC-DCconverters •Lead-Free Benefits •LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses •FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IXFH90N20Q	文件：372.46 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=90A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=22mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IXFH90N20Q	文件：100.36 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETTMPowerMOSFETsQ-CLASS	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXFK90N20	文件：324.94 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=90A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=23mΩ(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IXFK90N20	文件：112.37 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,Highdv/dt,Lowtrr Features ●Internationalstandardpackages ●JEDECTO-264AA,epoxymeetUL94V-0,flammabilityclassification ●miniBLOCwithAluminiumnitrideisolation ●LowRDS(on)HDMOSTMprocess ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●U	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXFK90N20Q	文件：136.12 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFET™PowerMOSFETsQClass N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated LowQg, Highdv/dt,Lowtrr Features •IXYSadvancedlowQgprocess •Internationalstandardpackages •LowRDS(on) •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Fastintrinsicrectifier •Fastswitching •Moldi	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXFK90N20Q	文件：100.36 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETTMPowerMOSFETsQ-CLASS	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXFK90N20QS	文件：136.12 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFET™PowerMOSFETsQClass N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated LowQg, Highdv/dt,Lowtrr Features •IXYSadvancedlowQgprocess •Internationalstandardpackages •LowRDS(on) •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Fastintrinsicrectifier •Fastswitching •Moldi	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXFQ90N20	文件：312.41 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=90A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=12.8mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IXFX90N20	文件：328.05 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=90A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=22mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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详细参数

型号：
IRFBA90N20DPBF
功能描述：
MOSFET MOSFT 200V 98A 23mOhm 160nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IRFBA90N20DPBF供应商更新时间2024-4-28 16:20:00

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