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IRFB4410ZG	文件：339.34 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFB4410ZGPBF	文件：300.42 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPower MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFB4410ZPBF	文件：839.58 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ●EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability ●Lead-Free Applications ●HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ●UninterruptiblePowerSupply ●HighSpeedPow	IRF International Rectifier	IRF
IRFB4410ZPBF	文件：336.33 Kbytes Page：12 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRF International Rectifier	IRF
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IRFI4410ZPBF	文件：587.92 Kbytes Page：9 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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详细参数

型号：
IRFB4410ZG
功能描述：
MOSFET MOSFT 100V 97A 9mOhm 83nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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