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IRFB4410ZG

N-Channel MOSFET Transistor

文件:339.34 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IRFB4410ZGPBF

HEXFETPower MOSFET

文件:300.42 Kbytes 页数:8 Pages

IRF

IRFB4410ZG

100V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用无铅无卤素 TO-220AB 封装

\n优势:\n• 符合 RoHS;

Infineon

英飞凌

IRFB4410ZPBF

HEXFET Power MOSFET

Benefits ● Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness ● Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA ● Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability ● Lead-Free Applications ● High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS ● Uninterruptible Power Supply ● High Speed Pow

文件:839.58 Kbytes 页数:11 Pages

IRF

IRFB4410ZPBF

High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS

文件:336.33 Kbytes 页数:12 Pages

IRF

IRFI4410Z

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:300.44 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

技术参数

  • Package :

    TO-220

  • VDS max:

    100.0V

  • RDS (on)(@10V) max:

    9.0mΩ

  • RDS (on) max:

    9.0mΩ

  • Polarity :

    N

  • ID (@ TC=100°C) max:

    69.0A

  • ID  max:

    69.0A

  • ID (@ TC=25°C) max:

    97.0A

  • Ptot max:

    230.0W

  • QG :

    83.0nC 

  • Mounting :

    THT

  • Qgd :

    27.0nC 

  • VGS max:

    20.0V

  • RthJC max:

    0.65K/W

  • Tj max:

    175.0°C

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更多IRFB4410ZG供应商 更新时间2025-12-1 17:43:00