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IRFI4410Z	文件：300.44 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：300.44 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFI4410ZGPBF	文件：237.48 Kbytes Page：8 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS 文件：237.48 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFI4410ZPBF	文件：587.92 Kbytes Page：9 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS 文件：587.92 Kbytes 页数：9 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IRFI4410ZPBF	文件：321.52 Kbytes Page：8 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS 文件：321.52 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFI4410ZPBF	文件：321.52 Kbytes Page：8 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS 文件：321.52 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFI4410ZPBF_15	文件：321.52 Kbytes Page：8 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS 文件：321.52 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFI4410Z	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 TO-220 FullPak 封装的 100V 单 N 沟道功率 MOSFET StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。 • 针对分销合作伙伴最广泛的可用性进行了优化\n• 针对低于 <100kHz 开关应用进行了硅片优化\n• 隔离封装;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRFI4410ZGPBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Ptotmax：
47 W
Qgd：
23 nC
QG(typ @10V)：
81 nC
RDS (on)(@10V) max：
9.3 mΩ
RthJCmax：
3.2 K/W
Tjmax：
175 °C
VDSmax：
100 V
VGS(th)：
3 V
VGSmax：
30 V
Mounting：
THT
Package：
TO-220 FullPAK
Operating Temperature：
-55 °C to 175 °C
Polarity：
N
Budgetary Price €/1k：
0.98

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IRFI4410Z供应商更新时间2026-1-30 17:31:00

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