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IRFB4115G

N-Channel MOSFET Transistor

文件:338.81 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IRFB4115GPBF

HEXFETPower MOSFET

文件:318.44 Kbytes 页数:8 Pages

IRF

IRFB4115G

150V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET,采用无铅无卤素 TO-220AB 封装

\n优势:\n• 符合 RoHS;

Infineon

英飞凌

IRFB4115PBF

HEXFET Power MOSFET

Benefits ● Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness ● Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA ● Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability ● Lead-Free Applications ● High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS ● Uninterruptible Power Supply ● High S

文件:314.6 Kbytes 页数:8 Pages

IRF

IRFB4115PBF

High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS

文件:312.21 Kbytes 页数:9 Pages

IRF

IRFS4115PBF

HEXFET Power MOSFET

文件:392.32 Kbytes 页数:10 Pages

IRF

技术参数

  • Package :

    TO-220

  • VDS max:

    150.0V

  • RDS (on) max:

    11.0mΩ

  • RDS (on)(@10V) max:

    11.0mΩ

  • Polarity :

    N

  • ID  max:

    74.0A

  • ID (@ TC=100°C) max:

    74.0A

  • ID (@ TC=25°C) max:

    104.0A

  • Ptot max:

    380.0W

  • QG :

    77.0nC 

  • Mounting :

    THT

  • Qgd :

    26.0nC 

  • RthJC max:

    0.4K/W

  • Tj max:

    175.0°C

  • VGS max:

    20.0V

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IR
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更多IRFB4115G供应商 更新时间2025-12-10 11:30:00