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IRFB4115G中文资料150V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET,采用无铅无卤素 TO-220AB 封装数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IRFB4115G

功能描述

150V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET,采用无铅无卤素 TO-220AB 封装

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-10-2 17:02:00

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IRFB4115G规格书详情

特性 Features


优势:
• 符合 RoHS

应用 Application

• 电池驱动

技术参数

  • 制造商编号

    :IRFB4115G

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Package 

    :TO-220

  • VDS max

    :150.0V

  • RDS (on) max

    :11.0mΩ

  • RDS (on)(@10V) max

    :11.0mΩ

  • Polarity 

    :N

  • ID  max

    :74.0A

  • ID (@ TC=100°C) max

    :74.0A

  • ID (@ TC=25°C) max

    :104.0A

  • Ptot max

    :380.0W

  • QG 

    :77.0nC 

  • Mounting 

    :THT

  • Qgd 

    :26.0nC 

  • RthJC max

    :0.4K/W

  • Tj max

    :175.0°C

  • VGS max

    :20.0V

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
25+
TO-220
880000
明嘉莱只做原装正品现货
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TO-220AB
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TO-220
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TO-220
7000
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TO-220
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VISHAY专营进口原装现货假一赔十
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