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IRFB38N20D中文资料采用 TO-220 封装的 200V 单 N 沟道功率 MOSFET数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IRFB38N20D

功能描述

采用 TO-220 封装的 200V 单 N 沟道功率 MOSFET

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-10-2 19:02:00

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IRFB38N20D规格书详情

特性 Features


优势:
• 符合 RoHS
• 具有业内先进的品质
• 经过充分验证的雪崩电压和电流
• 低栅漏电荷,可降低开关损耗
• 经过充分验证的的电容,包括有效的Coss以简化设计

技术参数

  • 制造商编号

    :IRFB38N20D

  • 生产厂家

    :Infineon

  • OPN

    :IRFB38N20DPBF

  • Qualification

    :Non-Automotive

  • Package name

    :TO220

  • VDS max

    :200 V

  • RDS (on) @10V max

    :54 mΩ

  • ID @25°C max

    :43 A

  • QG typ @10V

    :60 nC

  • Polarity

    :N

  • VGS(th) min

    :3 V

  • VGS(th) max

    :5 V

  • VGS(th)

    :4 V

  • Technology

    :IR MOSFET™

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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