Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.056ohm, Id=33A)

SMPS MOSFET Benefits ● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC converters

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IRF

High frequency DC-DC converters

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IRF

N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

High frequency DC-DC converters

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IRF

150V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-220AB 封装

\n优势:\n• 符合 RoHS\n• 具有业内先进的品质\n• 经过充分验证的雪崩电压和电流\n• 低栅漏电荷，可降低开关损耗\n• 经过充分验证的的电容，包括有效的Coss以简化设计;

Infineon

英飞凌