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IRFB33N15D规格书详情
SMPS MOSFET
Benefits
● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce
Switching Losses
● Fully Characterized Capacitance Including
Effective COSS to Simplify Design, (See
App. Note AN1001)
● Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
Applications
● High frequency DC-DC converters
产品属性
- 型号：
IRFB33N15D
- 功能描述：
MOSFET N-CH 150V 33A TO-220AB
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
HEXFET®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
21+ |
TO220 |
1523 |
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询价 | ||
IR |
23+ |
TO-220 |
35890 |
询价 | |||
Infineon Technologies |
21+ |
TO2203 |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
2021+ |
45000 |
十年专营原装现货,假一赔十 |
询价 | |||
IOR |
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TO-220 |
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INFINEON/英飞凌 |
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TO-220 |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 | ||
VISHAY |
24+ |
TO-220 |
12000 |
VISHAY专营进口原装现货假一赔十 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-220 |
28000 |
原装正品 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
21+ |
TO-220 |
30000 |
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询价 | ||
IR |
2048+ |
TO-220 |
9851 |
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询价 |
