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IRFB3207ZG中文资料无锡固电数据手册PDF规格书
IRFB3207ZG规格书详情
• DESCRITION
• reliable device for use in a wide variety of applications
• FEATURES
• Static drain-source on-resistance:
RDS(on) ≤4.1mΩ
• Enhancement mode
• Fast Switching Speed
• 100 avalanche tested
• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
产品属性
- 型号：
IRFB3207ZG
- 功能描述：
MOSFET MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
28800 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
TO220 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-220 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
询价 | ||
IR |
20+ |
TO-220AB |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
IR |
10+ |
TO220 |
21 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
2021+ |
45000 |
十年专营原装现货,假一赔十 |
询价 | |||
IR |
21+ |
TO-220 |
1975 |
询价 | |||
IR |
2223+ |
TO-220 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | ||
IR |
21+ |
TO-220 |
9852 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
TO220 |
25630 |
原装正品 |
询价 |
