IRF9530NS中文资料无锡固电数据手册PDF规格书
IRF9530NS规格书详情
• FEATURES
• Static drain-source on-resistance: RDS(on)≤200mΩ(@VGS= -10V; ID= -8.4A)
• Advanced trench process technology
• 100 avalanche tested
• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation
• APPLICATIONS
• Fast switching application.
产品属性
- 型号：
IRF9530NS
- 功能描述：
MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
HEXFET®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2022+ |
TO-263 |
48000 |
只做原装,原装,假一罚十 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-263 |
15200 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
IR |
NA |
8560 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
IR |
24+ |
TO263 |
5000 |
原装进口现货假一赔十 |
询价 | ||
I |
24+ |
TO-263 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
询价 | ||
IR |
02+ |
TO-263 |
1000 |
全新原装 绝对有货 |
询价 | ||
IR |
23+24 |
D2-Pak |
49820 |
主营全系列二三极管、MOS场效应管、 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-263 |
9960 |
价格优势/原装现货/客户至上/欢迎广大客户来电查询 |
询价 | ||
ZS/展松 |
24+ |
TO-263 |
7800 |
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈 |
询价 | ||
IR |
08+PBF |
TO-263 |
800 |
原装正品现货,可开发票,假一赔十 |
询价 |
