IRF9530NS中文资料无锡固电数据手册PDF规格书
IRF9530NS规格书详情
• FEATURES
• Static drain-source on-resistance: RDS(on)≤200mΩ(@VGS= -10V; ID= -8.4A)
• Advanced trench process technology
• 100 avalanche tested
• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation
• APPLICATIONS
• Fast switching application.
产品属性
- 型号：
IRF9530NS
- 功能描述：
MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
HEXFET®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
20+ |
TO-263 |
10000 |
询价 | |||
IR |
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TO263 |
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IR |
NA |
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IR |
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