IRF9530N中文资料IRF数据手册PDF规格书

厂商型号	IRF9530N
功能描述	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=-14A)
文件大小	113.13 Kbytes
页面数量	8 页
生产厂商	International Rectifier
企业简称	IRF
中文名称	International Rectifier官网
原厂标识
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-5-23 10:40:00
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IRF9530N规格书详情

VDSS = -100V

RDS(on) = 0.20Ω

ID = -14A

Description

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

Advanced Process Technology

Dynamic dv/dt Rating

175°C Operating Temperature

Fast Switching

P-Channel

Fully Avalanche Rated

产品属性

型号：
IRF9530N
制造商：
International Rectifier
功能描述：
MOSFET P TO-220

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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