IRF9530N中文资料KERSEMI数据手册PDF规格书

厂商型号	IRF9530N
功能描述	Advanced Process Technology
文件大小	2.77627 Mbytes
页面数量	7 页
生产厂商	KERSEMI
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更新时间	2025-11-30 22:58:00
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IRF9530N规格书详情

描述 Description

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

• Advanced Process Technology

• Dynamic dv/dt Rating

• 175°C Operating Temperature

• Fast Switching

• P-Channel

• Fully Avalanche Rated

产品属性

型号：
IRF9530N
制造商：
International Rectifier
功能描述：
MOSFET P TO-220

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