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IRF9310PBF-1	文件：238 Kbytes Page：8 Pages	Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：238 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF9310PBF-1	文件：300 bytes Page：1 Pages	-30V 单个 P 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装 \n优势:\n• Optimized for broadest availability from distribution partners\n• Optimized for 4.5V gate-drive voltage(called Logic level), capable of being driven at 2.5V gate-drive voltage (called Super Logic level)\n• Reduced design complexity in high-side configuration (vs N-channel device)\n• Easier ;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF9310PBF-1_15	文件：238 Kbytes Page：8 Pages	Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：238 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF9310TRPBF	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP8	INFINEON/英飞凌上传：深圳市澳亿芯电子科技有限公司	INFINEON/英飞凌
IRF9321TRPBF	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOIC-8_150	INFINEON 英飞凌上传：深圳市壹芯创科技有限公司	INFINEON

技术参数

OPN：
IRF9310TRPBF-1
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
SO8
VDS max：
-30 V
RDS (on) @10V max：
4.6 mΩ
RDS (on) @4.5V max：
6.8 mΩ
ID @25°C max：
-20 A
QG typ @4.5V：
58 nC
Polarity：
P
VGS(th) min：
-1.3 V
VGS(th) max：
-2.4 V
VGS(th)：
-1.8 V
Technology：
IR MOSFET™

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