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IRF9310PBF-1中文资料-30V 单个 P 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IRF9310PBF-1

功能描述

-30V 单个 P 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-10-2 22:58:00

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IRF9310PBF-1规格书详情

特性 Features


优势:
• Optimized for broadest availability from distribution partners
• Optimized for 4.5V gate-drive voltage(called Logic level), capable of being driven at 2.5V gate-drive voltage (called Super Logic level)
• Reduced design complexity in high-side configuration (vs N-channel device)
• Easier interface to Microcontroller (vs N-channel device)
 

技术参数

  • 制造商编号

    :IRF9310PBF-1

  • 生产厂家

    :Infineon

  • OPN

    :IRF9310TRPBF-1

  • Qualification

    :Non-Automotive

  • Package name

    :SO8

  • VDS max

    :-30 V

  • RDS (on) @10V max

    :4.6 mΩ

  • RDS (on) @4.5V max

    :6.8 mΩ

  • ID @25°C max

    :-20 A

  • QG typ @4.5V

    :58 nC

  • Polarity

    :P

  • VGS(th) min

    :-1.3 V

  • VGS(th) max

    :-2.4 V

  • VGS(th)

    :-1.8 V

  • Technology

    :IR MOSFET™

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