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IRF841FI

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS

文件:334.39 Kbytes 页数:9 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

技术参数

  • Minimum Operating Temperature:

    -55°C

  • Maximum Power Dissipation:

    125000mW

  • Maximum Operating Temperature:

    150°C

  • Maximum Gate Source Voltage:

    ±20V

  • Maximum Drain Source Voltage:

    450V

  • Maximum Continuous Drain Current:

    8A

  • Material:

    Si

  • Configuration:

    Single

  • Channel Type:

    N

  • Channel Mode:

    Enhancement

  • Category:

    Power MOSFET

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
HARR
95+
TO220
11
只售原装正品
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sam
24+
N/A
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6000
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IRF841
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23+
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23+
TO-220
8000
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更多IRF841供应商 更新时间2025-10-4 9:31:00