IRF820数据手册恩XP中文资料规格书
IRF820规格书详情
描述 Description
Power Field Effect Transistor
N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS
TMOS POWER FETs 2 and 2.5 AMPERES rDS(on) = 3 OHM 450 and 500 VOLTS
rDS(on) = 4 OHM 450 VOLTS
技术参数
- 型号：
IRF820
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 500V 2.5 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
3750 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO220 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
IR |
23+ |
FAX : 6564815466 |
20000 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
HSMC |
22+ |
TO-251 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
ST |
03+ |
TO-220 |
838 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
IR |
2024+ |
N/A |
70000 |
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询价 | ||
PH |
23+ |
TO-220 |
65480 |
询价 | |||
IR |
00+ |
TO-220 |
198 |
询价 | |||
IR |
24+ |
TO-263 |
90000 |
一级代理商进口原装现货、价格合理 |
询价 | ||
ST/意法 |
2023+ |
TO-220 |
6893 |
专注全新正品,优势现货供应 |
询价 |
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