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IRF8113数据手册Infineon中文资料规格书

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厂商型号

IRF8113

功能描述

30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-23 23:01:00

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IRF8113规格书详情

特性 Features


优势:
• 符合 RoHS
• 具有业内先进的品质
• 低RDS(ON) @ 4.5V VGS
• 经过充分验证的雪崩电压和电流
• 超低的栅极阻抗

技术参数

  • 制造商编号

    :IRF8113

  • 生产厂家

    :Infineon

  • OPN

    :IRF8113TRPBF

  • Qualification

    :Non-Automotive

  • Package name

    :SO8

  • VDS max

    :30 V

  • RDS (on) @10V max

    :5.6 mΩ

  • RDS (on) @4.5V max

    :6.8 mΩ

  • ID @25°C max

    :17.2 A

  • QG typ @4.5V

    :24 nC

  • Polarity

    :N

  • VGS(th) min

    :1.5 V

  • VGS(th) max

    :2.2 V

  • VGS(th)

    :1.85 V

  • Technology

    :IR MOSFET™

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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