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IRF7910数据手册Infineon中文资料规格书

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厂商型号

IRF7910

功能描述

12V 双 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-23 23:01:00

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IRF7910规格书详情

特性 Features


优势:
• 符合 RoHS
• 经过充分验证的雪崩电压和电流
• 低栅漏电荷,可降低开关损耗
• 经过充分验证的的电容,包括有效的Coss以简化设计
• 双 N 通道 MOSFET

技术参数

  • 制造商编号

    :IRF7910

  • 生产厂家

    :Infineon

  • VDS max

    :12.0V

  • RDS (on)(@4.5V) max

    :15.0mΩ

  • RDS (on)(@2.7V) max

    :50.0mΩ

  • Polarity 

    :N+N

  • Polarity 

    :N+N

  • ID (@ TA=70°C) max

    :7.9A

  • ID (@ TA=70°C) max

    :7.9A

  • ID (@ TA=25°C) max

    :10.0A

  • ID (@ TA=25°C) max

    :10.0A

  • Ptot(@ TA=25°C) max

    :2.0W

  • QG 

    :17.0nC 

  • RthJA max

    :62.5K/W

  • Moisture Sensitivity Level 

    :1

  • VGS max

    :12.0V

  • Qgd(typ) 

    :5.2nC 

  • Tj max

    :150.0°C

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