| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
15年
留言
|
 |
INFINEON/英飞凌SOP8 |
15620 |
25+ |
|
INFINEON/英飞凌全新特价IRF8113TR即刻询购立享优惠#长期有货 |
|
|
 |
IRN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
|||
|
8年
留言
|
IRSOP8 |
9800 |
24+ |
一级代理/全新原装现货/长期供应! |
|||
|
7年
留言
|
IRSOP8 |
6700 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
|||
|
4年
留言
|
Infineon(英飞凌) |
25650 |
23+ |
新到现货,只做原装进口 |
|||
|
7年
留言
|
INFINEON/英飞凌SO8 |
5000 |
2025+ |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
|||
|
2年
留言
|
INFINEON/IR |
4000 |
15+ |
SO-8 |
|||
|
4年
留言
|
IRSOP8 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
|||
|
2年
留言
|
IRSOP-8 |
36000 |
16+ |
原装正品,优势库存81 |
|||
|
7年
留言
|
IR(国际整流器) |
10548 |
26+ |
原厂订货渠道,支持账期,一站式服务! |
|||
|
13年
留言
|
IRSOP8 |
3867 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
|||
|
13年
留言
|
IORSOPPB |
2860 |
25+ |
原厂原装正品价格优惠公司现货欢迎查询 |
|||
|
1年
留言
|
IRSOP-8 |
4 |
1029+ |
上传都是百分之百进口原装现货 |
|||
|
7年
留言
|
IRSOP8 |
602 |
07+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
|
18年
留言
|
IRF81132080 |
2080 |
25+ |
||||
|
5年
留言
|
IRSOP-8 |
66880 |
25+ |
原装正品，欢迎询价 |
|||
|
10年
留言
|
IRSOP-8 |
4500 |
24+ |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
|||
|
17年
留言
|
IRSOP-8 |
120000 |
23+ |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
|||
|
13年
留言
|
IORSOP-8 |
5000 |
22+ |
只做原装鄙视假货15118075546 |
|||
|
10年
留言
|
IRSOP8 |
2960 |
20+ |
诚信交易大量库存现货 |
IRF8113采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRF8113图片
IRF8113PBF价格
IRF8113PBF价格：￥1.7499品牌：INTERNATIONAL
生产厂家品牌为INTERNATIONAL的IRF8113PBF多少钱，想知道IRF8113PBF价格是多少？参考价：￥1.7499。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRF8113PBF批发价格及采购报价，IRF8113PBF销售排行榜及行情走势，IRF8113PBF报价。
IRF8113中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF8113功能描述:MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF8113GPBF功能描述:MOSFET HEXFET 30V VDSS 5.6mOhm 10V 24nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF8113GTRPBF功能描述:MOSFET MOSFT 30V 16.6A 6mOhm 24nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF8113HR制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SOIC - Rail/Tube
IRF8113PBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 6mOhms 24nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF8113TR功能描述:MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF8113TRPBF功能描述:MOSFET MOSFT 30V 16.6A 6mOhm 24nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
