首页>IRF8113GPBF>规格书详情

IRF8113GPBF数据手册Infineon中文资料规格书

PDF无图
厂商型号

IRF8113GPBF

功能描述

DirectFET\u0001\u0001Power MOSFET

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-8-23 18:03:00

人工找货

IRF8113GPBF价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

技术参数

  • 型号:

    IRF8113GPBF

  • 功能描述:

    MOSFET HEXFET 30V VDSS 5.6mOhm 10V 24nC

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
09+
SOP
262
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
IR
13+
SO-8
10800
询价
IOR
25+23+
SOP8
28296
绝对原装正品全新进口深圳现货
询价
IR
22+
SOP-8
8000
原装正品支持实单
询价
IR
23+
SOIC8
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
询价
IR
20+
SOP-8
43000
原装优势主营型号-可开原型号增税票
询价
Infineon(英飞凌)
24+
SOP-8
7860
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
询价
IR
17+
SO-8
6200
100%原装正品现货
询价
Infineon Technologies
23+
原装
8000
只做原装现货
询价
Infineon Technologies
23+
原装
7000
询价