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IRF820ASPBF	文件：272.54 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Applications •SwitchModePowerSupply(SMPS) •UninterruptablePowerSupply •Highspeedpowerswitching •Lead-Free Benefits •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheV	IRF International Rectifier	IRF
IRF820B	文件：858.42 Kbytes Page：10 Pages	500V N-Channel MOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF820L	文件：183.24 Kbytes Page：8 Pages	Dynamic dV/dt rating DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PAK(TO-263)isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizeuptoHEX-4.Itprov	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF820L	文件：238.32 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES •Surfacemount •Availableintapeandreel •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatashee	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF820PBF	文件：562.15 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipationlev	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF820S	文件：172.4 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.5A) DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. •SurfaceMount •AvailableinTape&Reel •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalanche	IRF International Rectifier	IRF
IRF820S	文件：183.24 Kbytes Page：8 Pages	Dynamic dV/dt rating DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PAK(TO-263)isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizeuptoHEX-4.Itprov	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF820S	文件：238.32 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES •Surfacemount •Availableintapeandreel •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatashee	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF820S_V01	文件：238.32 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES •Surfacemount •Availableintapeandreel •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatashee	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF821	文件：140.22 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNEL Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS PowerFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGateTMOS TMOSPOWERFETs2and2.5AMPERESrDS(on)=3OHM450and500VOLTS rDS(on)=4OHM450VOLTS	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola

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详细参数

型号：
IRF82
制造商：
STMICROELECTRONICS
制造商全称：
STMicroelectronics
功能描述：
N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSTRANSISTORS

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